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IPB05CN10N G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 100A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package PG-TO263-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.1 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 181nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 100A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
ipb050n06n International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 18291
IPB050N06N G INFINEON CIs Calientes Especializados 21304
IPB050N06NG I CIs Calientes Especializados 22447
IPB050N06NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
IPB050N06NGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB051NE8N G INFINEON CIs Calientes Especializados 23024
IPB051NE8NG INFINEO CIs Calientes Especializados 1481
IPB051NE8NG MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1331
IPB051NE8NG(051NE8N) INFINEO CIs Calientes Especializados 2511
IPB052N04N G Infineo CIs Calientes Especializados 18500

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