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IPB04N03LA Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 60µA
Supplier Device Package PG-TO263-3-2
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.9 mOhm @ 55A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3877pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 107W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 80A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'IPB04' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPB041N04N G Infineo CIs Calientes Especializados 23800
IPB041N04NG VB CIs Calientes Especializados 18500
IPB041N04NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2623
IPB042N03L G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 17333
IPB042N03LG I CIs Calientes Especializados 1234
IPB042N03LG MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 5395
IPB042N03LGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2786
IPB042N03LGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPB042N10N3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 26423
IPB042N10N3 G IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 26460

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