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IPB049NE7N3GATMA1
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IPB049NE7N3GATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 75V 80A TO263-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 91µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 150W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 4750pF @ 37.5V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 75V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB) |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | D²PAK (TO-263AB) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9 mOhm @ 80A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Other Names | IPB049NE7N3 G IPB049NE7N3 G-ND IPB049NE7N3 GTR-ND IPB049NE7N3G IPB049NE7N3GATMA1TR SP000641752 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 68nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 80A (Tc) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IPB04" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPB04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPB041N04N G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 23800 |
IPB041N04NG | VB | CIs Calientes Especializados | 18500 |
IPB041N04NGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
IPB042N03L G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 17333 |
IPB042N03LG | I | CIs Calientes Especializados | 1234 |
IPB042N03LG MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 5395 |
IPB042N03LGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2786 |
IPB042N03LGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPB042N10N3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 26423 |
IPB042N10N3 G IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 26460 |
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