IPB025N10N3GE8187ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 275µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 300W (Tc)
Package / Case TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 14800pF @ 50V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 100V 180A 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO263-7
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB025N10N3 G E8187 IPB025N10N3 G E8187-ND IPB025N10N3GE8187ATMA1TR SP000939338
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
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IPB020N04N INFINEON CIs Calientes Especializados 2768
IPB020N04N G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 3199
IPB020N04NG INFINEO CIs Calientes Especializados 5131
IPB020N04NGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2560
IPB020N04NGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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