IPB015N04LGATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 120A TO263-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 40V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 mOhm @ 100A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names IPB015N04L G IPB015N04L G-ND IPB015N04L GTR IPB015N04L GTR-ND IPB015N04LG IPB015N04LGATMA1TR SP000387948
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 346nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120A (Tc)
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IPB010N06N INFINEON CIs Calientes Especializados 2635
IPB010N06N3G 010N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 683
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