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IPAN60R650CEXKSA1
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IPAN60R650CEXKSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET NCH 600V 9.9A TO220
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | CoolMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 28W (Tc) |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Mounting Type | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20.5nC @ 10V |
FET Feature | Super Junction |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TO220 Full Pack |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 2.4A, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 440pF @ 100V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.9A (Tc) |
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Otros incluyen "IPAN6" partes
Las siguientes partes incluyen 'IPAN6'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IPAN60R800CEXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2732 |
IPAN60R800CEXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
IPAN65R650CE | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3104 |
IPAN65R650CEXKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2527 |
IPAN65R650CEXKSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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