IPA80R600P7XKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CHANNEL 800V 8A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 170µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™ P7
Power Dissipation (Max) 28W (Tc)
Other Names SP001644604
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Tc)
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 600 mOhm @ 3.4A, 10V
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 500V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 8A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220 Full Pack
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IPA80R1K0CE infineon CIs Calientes Especializados 718
IPA80R1K0CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IPA80R1K0CEXKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA80R1K2P7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPA80R1K4CE INF CIs Calientes Especializados 873
IPA80R1K4CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IPA80R1K4CEXKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751
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