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IPA80R310CEXKSA2 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 800V TO-220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.9V @ 1mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 91nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 310 mOhm @ 11A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2320pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16.7A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPA80R1K0CE infineon CIs Calientes Especializados 718
IPA80R1K0CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2787
IPA80R1K0CEXKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2537
IPA80R1K0CEXKSA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA80R1K2P7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2645
IPA80R1K4CE INF CIs Calientes Especializados 873
IPA80R1K4CEXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2576
IPA80R1K4CEXKSA2 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2751
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
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