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IPA65R190C6XKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 730µA
Supplier Device Package PG-TO220 Full Pack
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 7.3A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1620pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series CoolMOS™
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IPA65DE310CFD Infenon CIs Calientes Especializados 551
IPA65R045C7 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10
IPA65R045C7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2585
IPA65R045C7XKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA65R065C7 inf CIs Calientes Especializados 697
IPA65R065C7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2765
IPA65R065C7XKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA65R095C7XKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2624
IPA65R095C7XKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA65R099C6 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1026

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