IPA041N04NGXKSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V TO220-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 45µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 35W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TO220-FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.1 mOhm @ 70A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4500pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 70A (Tc)
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IPA040N06N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 160
IPA040N06NM5S International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 306
IPA040N06NXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2547
IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA041N04NG IR CIs Calientes Especializados 62908
IPA041N04NG MOS IR CIs Calientes Especializados 31375
IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
IPA045N10N International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 281
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