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IHW30N160R2 Especificaciones técnicas

IHW30N160R2 Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1600V
Test Condition 600V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 4.37mJ
Series TrenchStop®
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 94nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C -/525ns
Supplier Device Package PG-TO247-3
Power - Max 312W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type NPT, Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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IHW30N160R2 Documentos

Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para IHW30N160R2

Otros incluyen   "IHW30"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IHW30' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IHW30N100R International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 611
IHW30N100R Infineon Technologies IGBTs individuales
IHW30N100T IGBT Module Módulos IGBT 2707
IHW30N100TFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2512
IHW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IHW30N110R3 INFINEO CIs Calientes Especializados 1461
IHW30N110R3 H30R1103 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 527
IHW30N110R3/H30R1103 INFINEON CIs Calientes Especializados 602
IHW30N110R3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2586
IHW30N110R3FKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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