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IGW50N65F5FKSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Test Condition 400V, 25A, 12 Ohm, 15V
Switching Energy 490µJ (on), 160µJ (off)
Series TrenchStop®
Packaging Tube
Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 120nC
Current - Collector (Ic) (Max) 80A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 21ns/175ns
Supplier Device Package PG-TO247-3
Power - Max 305W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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Otros incluyen   "IGW50"   partes

Las siguientes partes incluyen  'IGW50' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IGW50N60H3 Original CIs Calientes Especializados 6541
IGW50N60H3 IGBT International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 372
IGW50N60H3/G50H603 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 471
IGW50N60H3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2789
IGW50N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IGW50N60T International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1847
IGW50N60TFKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2751
IGW50N60TFKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IGW50N60TPXKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2595
IGW50N60TPXKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales

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