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IGW30N100TFKSA1
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IGW30N100TFKSA1 Especificaciones técnicas
IGBT 1000V 60A 412W TO247-3
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1000V |
Test Condition | 600V, 30A, 16 Ohm, 15V |
Switching Energy | 3.8mJ |
Series | TrenchStop® |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 217nC |
Current - Collector (Ic) (Max) | 60A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 30A |
Td (on/off) @ 25°C | 33ns/535ns |
Supplier Device Package | PG-TO247-3 |
Power - Max | 412W |
Package / Case | TO-247-3 |
Mounting Type | Through Hole |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 90A |
IGW30N100TFKSA1 Documentos
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Hojas de datos
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Otros incluyen "IGW30" partes
Las siguientes partes incluyen 'IGW30'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
IGW30H603 G30H603 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 863 |
IGW30N100T | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 5607 |
IGW30N100T G30T100 | Original | CIs Calientes Especializados | 414 |
IGW30N100TFKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IGW30N100TFKSA1 | Rochester Electronics, LLC | IGBTs individuales | |
IGW30N60H3 | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 9153 |
IGW30N60H3FKSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 2731 |
IGW30N60H3FKSA1 | Infineon Technologies | IGBTs individuales | |
IGW30N60T | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Individual | 1271 |
IGW30N60T G30T60 | Original | CIs Calientes Especializados | 3561 |
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