IGW30N100TFKSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 1000V 60A 412W TO247-3

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1000V
Test Condition 600V, 30A, 16 Ohm, 15V
Switching Energy 3.8mJ
Series TrenchStop®
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 217nC
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 33ns/535ns
Supplier Device Package PG-TO247-3
Power - Max 412W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
IGW30H603 G30H603 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 863
IGW30N100T INFINEON CIs Calientes Especializados 5607
IGW30N100T G30T100 Original CIs Calientes Especializados 414
IGW30N100TFKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IGW30N100TFKSA1 Rochester Electronics, LLC IGBTs individuales
IGW30N60H3 INFINEON CIs Calientes Especializados 9153
IGW30N60H3FKSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 2731
IGW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies IGBTs individuales
IGW30N60T International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - IGBTs - Individual 1271
IGW30N60T G30T60 Original CIs Calientes Especializados 3561

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