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F475R12KS4B11BOSA1
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F475R12KS4B11BOSA1 Especificaciones técnicas
IGBT MODULE VCES 600V 75A
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Supplier Device Package | Module |
Package / Case | Module |
Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
Mounting Type | Chassis Mount |
Input | Standard |
Detailed Description | IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 100A 500W Chassis Mount Module |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.75V @ 15V, 75A |
Power - Max | 500W |
Other Names | F4-75R12KS4_B11 F4-75R12KS4_B11-ND SP000724906 |
NTC Thermistor | Yes |
Input Capacitance (Cies) @ Vce | 5.1nF @ 25V |
IGBT Type | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 1mA |
Configuration | Three Phase Inverter |
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Las siguientes partes incluyen 'F475R'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
F475R06W1E3BOMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Módulos | 2651 |
F475R06W1E3BOMA1 | Infineon Technologies | Módulos IGBT | |
F475R07W1H3B11ABOMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Módulos | 2677 |
F475R07W1H3B11ABOMA1 | Infineon Technologies | Módulos IGBT | |
F475R07W2H3B51BOMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Diodos - Rectificadores de Puente | 2634 |
F475R07W2H3B51BOMA1 | Infineon Technologies | Puentes Rectificadores | |
F475R07W2H3B51BOMA1 | Rochester Electronics, LLC | Puentes Rectificadores | |
F475R07W2H3B51BPSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - IGBTs - Módulos | 0 |
F475R07W2H3B51BPSA1 | Infineon Technologies | Módulos IGBT | |
F475R12KS4B11BOSA1 | Infineon Technologies | Módulos IGBT |
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