DF200R12PT4B6BOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT MODULE VCES 1200V 200A

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature -40°C ~ 150°C
Mounting Type Chassis Mount
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Trench Field Stop Three Phase Inverter 1200V 300A 1100W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 300A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 200A
Power - Max 1100W
Other Names DF200R12PT4_B6 DF200R12PT4_B6-ND SP000989816
NTC Thermistor Yes
Input Capacitance (Cies) @ Vce 12.5nF @ 25V
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Cutoff (Max) 15µA
Configuration Three Phase Inverter
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DF2005-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores de Puente 2759
DF2005S-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores de Puente 2740
DF2005ST-G Comchip Technology Diodos - Rectificadores de Puente 2716
DF200AA-120 IGBT Module Módulos IGBT 2923
DF200AA020 Sanrex Módulos IGBT 2901
DF200AA040 Sanrex Módulos IGBT 2735
DF200AA060 Sanrex Módulos IGBT 2872
DF200AA080 SANREX CIs Calientes Especializados 2856
DF200AA120 SANKEN Módulos IGBT 2964
DF200AA140 SANREX Módulos IGBT 2952

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