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BUZ32H3045AATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 9.5A TO-263

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package PG-TO263-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 400 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 530pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 75W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BUZ32 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 4558
BUZ32 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BUZ32 E3045 INFINEO CIs Calientes Especializados 4100
BUZ32 E3045A International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 32363
BUZ32 H International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 18753
BUZ32 H3045A I CIs Calientes Especializados 32363
BUZ32 L3045A Infineo CIs Calientes Especializados 1479
BUZ32 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1649
BUZ32 SMD International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 32363
BUZ323 INF CIs Calientes Especializados 638

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