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BSZ22DN20NS3GATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 200V 7A 8TSDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 13µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 34W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 430pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 225 mOhm @ 3.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSZ22DN20NS3 G BSZ22DN20NS3G BSZ22DN20NS3GATMA1TR BSZ22DN20NS3GTR BSZ22DN20NS3GTR-ND SP000781794
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.6nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ22DN20NS3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2716
BSZ22DN20NS3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 29899
BSZ22DN20NS3G IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 29977
BSZ22DN20NS3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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