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BSZ180P03NS3GATMA1
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BSZ180P03NS3GATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 30V 39.6A TSDSON-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.1V @ 48µA |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2220pF @ 15V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.1W (Ta), 40W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Ta), 39.6A (Tc) |
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Otros incluyen "BSZ18" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSZ18'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSZ180P03NS3 G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 19271 |
BSZ180P03NS3E G | Infineo | CIs Calientes Especializados | 15863 |
BSZ180P03NS3EG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5600 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2623 |
BSZ180P03NS3EGATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ180P03NS3G | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 588 |
BSZ180P03NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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