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BSZ110N08NS5ATMA1
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BSZ110N08NS5ATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 40A 8TSDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.8V @ 22µA |
Supplier Device Package | PG-TSDSON-8-FL |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11 mOhm @ 20A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1300pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.5nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSZ110N06N | Infineon | CIs Calientes Especializados | 2539 |
BSZ110N06NS3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 13004 |
BSZ110N06NS3G | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2734 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2670 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 11500 |
BSZ110N06NS3GATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ110N08NS5 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 21974 |
BSZ110N08NS5 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2412 |
BSZ110N08NS5ATMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales | |
BSZ115N03CSC | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 10000 |
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