BSZ100N06LS3 G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 20A TSDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 23µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case 8-PowerVDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3500pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11A (Ta), 20A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ100N03L Infineon CIs Calientes Especializados 2630
BSZ100N03LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 200
BSZ100N03LS G INFINEON CIs Calientes Especializados 5831
BSZ100N03LSG INFINEO CIs Calientes Especializados 10965
BSZ100N03LSGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11500
BSZ100N03LSGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ100N03M Infineon CIs Calientes Especializados 2691
BSZ100N03MS G INFINEO CIs Calientes Especializados 2646
BSZ100N03MSG INFINEO CIs Calientes Especializados 7954
BSZ100N03MSGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 11500

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