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BSZ0902NSI Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 21A TSDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 191209
BSZ0901NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10432
BSZ0901NSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2723
BSZ0901NSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ0901NSI International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 37322
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