BSZ034N04LSATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 40V 19A 8TSDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 25nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TSDSON-8-FL
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.4 mOhm @ 20A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 20V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 19A (Ta), 40A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSZ031NE2LS5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSZ031NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ033N03LSCG INFINEO CIs Calientes Especializados 16409
BSZ033N03MSCG INFINEO CIs Calientes Especializados 25000
BSZ033NE2LS5 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 4537
BSZ033NE2LS5ATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2777
BSZ033NE2LS5ATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ034N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 71621
BSZ034N04LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSZ035N03L INFINEON CIs Calientes Especializados 2504

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