BSS316N H6327 Especificaciones técnicas

BSS316N H6327 Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 3.7µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 500mW (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.6nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-SOT23-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 160 mOhm @ 1.4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 94pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.4A (Ta)
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BSS316N H6327 Documentos

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Otros incluyen   "BSS31"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BSS31' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSS314PE INFINEO CIs Calientes Especializados 272823
BSS314PE E6327 Infineon CIs Calientes Especializados 13151
BSS314PE H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 12193
BSS314PE L6327 Infineo CIs Calientes Especializados 13065
BSS314PE MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 17917
BSS314PEH6327 Son CIs Calientes Especializados 8954
BSS314PEH6327 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 876
BSS314PEH6327XTSA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 38317
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