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BSP89H6327XTSA1
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BSP89H6327XTSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 4SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1.8V @ 108µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 240V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 350mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 350mA (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'BSP89'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP89 | Infieon | CIs Calientes Especializados | 5303 |
BSP89 E-6327 | SOT223 | CIs Calientes Especializados | 2900 |
BSP89 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5071 |
BSP89 H6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 13200 |
BSP89 L6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 23493 |
BSP89 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 8567 |
BSP89,115 | Nexperia | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2560 |
BSP89,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores MOSFET individuales | |
BSP89Â | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2344 |
BSP89E-6327 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 77 |
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