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BSP603S2LHUMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 55V 5.2A SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 33 mOhm @ 2.6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1390pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 42nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.2A (Ta)
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Otros incluyen   "BSP60"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BSP60' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP60 Infineo CIs Calientes Especializados 77120
BSP60 E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 2759
BSP60 E6433 INFINEO CIs Calientes Especializados 40000
BSP60 MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 3269
BSP60,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 11070
BSP60,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BSP603S22 INFINEO CIs Calientes Especializados 2500
BSP603S2L INFINEO CIs Calientes Especializados 125245
BSP603S2L MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2232
BSP603S2LHUMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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