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BSP320SL6327HTSA1
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BSP320SL6327HTSA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.9A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 340pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.9A (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'BSP32'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP32 | NXP | CIs Calientes Especializados | 48878 |
BSP32 ,115 | NXP Semiconductors / Freescale | CIs Calientes Especializados | 1448 |
BSP32 MOS | PHILIPS | CIs Calientes Especializados | 24306 |
BSP32,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2647 |
BSP32,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
BSP320 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 3658 |
BSP320 L6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1287 |
BSP320S | Infineo | CIs Calientes Especializados | 70304 |
BSP320S E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2588 |
BSP320S E6433 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2658 |
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