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BSP316PE6327T
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BSP316PE6327T Especificaciones técnicas
MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 170µA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 Ohm @ 680mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 146pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.4nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 680mA (Ta) |
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Las siguientes partes incluyen 'BSP31'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP31 | NXP | CIs Calientes Especializados | 46292 |
BSP31,115 | Nexperia | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2667 |
BSP31,115 | Nexperia USA Inc. | Transistores BJT individuales | |
BSP312 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 14580 |
BSP315 | Infineo | CIs Calientes Especializados | 45072 |
BSP315 E 6433 | SIMENS | CIs Calientes Especializados | 70370 |
BSP315 E6433 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 4302 |
BSP315E-6327 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 3422 |
BSP315P | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 58109 |
BSP315P E6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 2383 |
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