BSP315PE6327T Especificaciones técnicas

MOSFET P-CH 60V 1.17A SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 160µA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 800 mOhm @ 1.17A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 160pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.8nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.17A (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP31 NXP CIs Calientes Especializados 46292
BSP31,115 Nexperia Transistores - Bipolares (BJT) - Individual 2667
BSP31,115 Nexperia USA Inc. Transistores BJT individuales
BSP312 SIEMENS CIs Calientes Especializados 14580
BSP315 Infineo CIs Calientes Especializados 45072
BSP315 E 6433 SIMENS CIs Calientes Especializados 70370
BSP315 E6433 SIEMENS CIs Calientes Especializados 4302
BSP315E-6327 SIEMENS CIs Calientes Especializados 3422
BSP315P INFINEO CIs Calientes Especializados 58109
BSP315P E6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 2383

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