BSP299L6327HUSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 Ohm @ 400mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 400mA (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP295 INF CIs Calientes Especializados 2312
BSP295 E6327 SIEMENS CIs Calientes Especializados 2594
BSP295 H6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 24732
BSP295 L6327 INFINEO CIs Calientes Especializados 32000
BSP295 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 446
BSP295E6327 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5744
BSP295E6327T International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2524
BSP295H6327 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 34669
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