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BSP299 E6327
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BSP299 E6327 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT-223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 400pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 500V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 1.8W (Ta) |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 400mA (Ta) |
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'BSP29'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP295 | INF | CIs Calientes Especializados | 2312 |
BSP295 E6327 | SIEMENS | CIs Calientes Especializados | 2594 |
BSP295 H6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 24732 |
BSP295 L6327 | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 32000 |
BSP295 MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 446 |
BSP295E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 5744 |
BSP295E6327T | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2524 |
BSP295H6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 34669 |
BSP295H6327XTSA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2663 |
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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