BSP125L6327HTSA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT-223

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 94µA
Supplier Device Package PG-SOT223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 Ohm @ 120mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SIPMOS®
Power Dissipation (Max) 1.8W (Ta)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 120mA (Ta)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSP120 NXP CIs Calientes Especializados 2584
BSP121 PHILIPS CIs Calientes Especializados 44975
BSP122 NXP CIs Calientes Especializados 116893
BSP122 MOS NXP Semiconductors / Freescale CIs Calientes Especializados 10281
BSP122+115 NXP CIs Calientes Especializados 461
BSP122,115 Nexperia Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2516
BSP122,115 Nexperia USA Inc. Transistores MOSFET individuales
BSP123 I CIs Calientes Especializados 53980
BSP123 L6327 INFINEON CIs Calientes Especializados 2723
BSP123 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1512

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