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BSP 52 E6327
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BSP 52 E6327 Especificaciones técnicas
TRANS NPN DARL 80V 1A SOT-223
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - Bipolares (BJT) - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 80V |
Transistor Type | NPN - Darlington |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | TO-261-4, TO-261AA |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 2000 @ 500mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1.8V @ 1mA, 1A |
Supplier Device Package | PG-SOT223-4 |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Frequency - Transition | 200MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
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Hojas de datos
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSP 51 E6327 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - Bipolares (BJT) - Individual | 2664 |
BSP 51 E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales | |
BSP 52 E6327 | Infineon Technologies | Transistores BJT individuales |
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