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BSO615N Especificaciones técnicas

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Series SIPMOS®
Power - Max 2W
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.6A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PG-DSO-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 2.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 380pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
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Las siguientes partes incluyen  'BSO61' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSO612CV International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 35737
BSO612CV Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
BSO612CV MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 21891
BSO612CV/612CV IC CIs Calientes Especializados 1300
BSO612CVG INFINEO CIs Calientes Especializados 5206
BSO612CVGHUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices 2756
BSO612CVGHUMA1 Infineon Technologies Matrices de transistores MOSFETs
BSO612V I CIs Calientes Especializados 18578
BSO612V MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 19040
BSO613S INF CIs Calientes Especializados 8130

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