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BSO613SPV G
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BSO613SPV G Especificaciones técnicas
BSO613SPV G Infineon Technologies
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | SIPMOS® |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta) |
Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-DSO-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 3.44A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 875pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.44A (Ta) |
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Hojas de datos
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Otros incluyen "BSO61" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSO61'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSO612CV | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 35737 |
BSO612CV | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSO612CV MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 21891 |
BSO612CV/612CV | IC | CIs Calientes Especializados | 1300 |
BSO612CVG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 5206 |
BSO612CVGHUMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2756 |
BSO612CVGHUMA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSO612V | I | CIs Calientes Especializados | 18578 |
BSO612V MOS | VBSEMI | CIs Calientes Especializados | 19040 |
BSO613S | INF | CIs Calientes Especializados | 8130 |
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