BSM25GD120DN2E3224BOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 2 LOW POWER ECONO2-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Three Phase Inverter 1200V 35A 200W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
Power - Max 200W
Other Names BSM25GD120DN2E3224 SP000100361
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 1.65nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 800µA
Configuration Three Phase Inverter
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM25/35GD120 EUPEC Módulos IGBT 2756
BSM250D17P2E004 ROHM Semiconductor Matrices de transistores MOSFETs
BSM254F SIEMENS CIs Calientes Especializados 1406
BSM25GAL100D IGBT Module Módulos IGBT 2995
BSM25GAL120D SIEMENS Módulos IGBT 2958
BSM25GAL120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2804
BSM25GB100D SIEMNES Módulos IGBT 2749
BSM25GB100DN1 SIEMENS Módulos IGBT 2933
BSM25GB120D IGBT Module Módulos IGBT 2817
BSM25GB120DN2 EUPEC Módulos IGBT 1387

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