BSM150GB120DN2HOSA1 Especificaciones técnicas

IGBT 2 MED POWER 62MM-1

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - IGBTs - Módulos
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Supplier Device Package Module
Package / Case Module
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Chassis Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Input Standard
Detailed Description IGBT Module Half Bridge 1200V 210A 1250W Chassis Mount Module
Current - Collector (Ic) (Max) 210A
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 150A
Power - Max 1250W
Other Names BSM150GB120DN2 SP000095942
NTC Thermistor No
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Cies) @ Vce 11nF @ 25V
IGBT Type -
Current - Collector Cutoff (Max) 2.8mA
Configuration Half Bridge
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSM15 25GD120DL IGBT Module Módulos IGBT 2508
BSM150DY-24H NO CIs Calientes Especializados 2886
BSM150GA120D EUPEC Módulos IGBT 2593
BSM150GA120DN2 EUPEC Módulos IGBT 2641
BSM150GAB120D IGBT Module Módulos IGBT 2974
BSM150GAL100D SIEMENS Módulos IGBT 2912
BSM150GAL120D SIEMENS Módulos IGBT 2938
BSM150GAL120DLC IGBT Module Módulos IGBT 2957
BSM150GAL120DLCK IGBT Module Módulos IGBT 2970
BSM150GAL120DN11 EUPEC Módulos IGBT 2982

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