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BSC750N10ND G
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BSC750N10ND G Especificaciones técnicas
BSC750N10ND G Infineon Technologies
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 12µA |
Series | OptiMOS™ |
Power - Max | 26W |
Package / Case | 8-PowerVDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 mOhm @ 13A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 50V |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
BSC750N10ND G Documentos
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Hojas de datos
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Las siguientes partes incluyen 'BSC75'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC750N10ND | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 735 |
BSC750N10ND G | Infineon Technologies AG | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSC750N10ND IC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 461 |
BSC750N10NDG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 8166 |
BSC750N10NDG MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 11024 |
BSC750N10NDGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2550 |
BSC750N10NDGATMA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSC750N10NS3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 2671 |
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