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BSC190N15NS3GATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 150V 50A TDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 90µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 125W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 150V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 19 mOhm @ 50A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2420pF @ 75V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 8V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 50A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC190N10NSG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 8002
BSC190N12NS3G INFINEO CIs Calientes Especializados 2604
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BSC190N12NS3GATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC190N15NS INFINEO CIs Calientes Especializados 310
BSC190N15NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 343
BSC190N15NS3 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 816
BSC190N15NS3 G I CIs Calientes Especializados 102921
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