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BSC152N10NSFGATMA1
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BSC152N10NSFGATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 72µA |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 15.2 mOhm @ 25A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 114W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9.4A (Ta), 63A (Tc) |
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Las siguientes partes incluyen 'BSC15'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC1501N03NS3G | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 5590 |
BSC150N03LD | Original | CIs Calientes Especializados | 30376 |
BSC150N03LD G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 8458 |
BSC150N03LDG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 30354 |
BSC150N03LDGATMA1 | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Matrices | 2702 |
BSC150N03LDGATMA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs | |
BSC152N10NSF G | VB | CIs Calientes Especializados | 3000 |
BSC152N10NSFG | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 646 |
BSC155N06ND | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 4135 |
BSC155N06NDATMA1 | Infineon Technologies | Matrices de transistores MOSFETs |
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