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BSC130P03LS G Especificaciones técnicas

BSC130P03LS G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 150µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 69W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 73.1nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 13 mOhm @ 22.5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3670pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta), 22.5A (Tc)
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Otros incluyen   "BSC13"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BSC13' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC130P03LS G MOS VBSEMI CIs Calientes Especializados 1376
BSC130P03LSG International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Especializados 5263
BSC130P03LSGAUMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2525
BSC130P03LSGAUMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC130P03NS3G INFINEON CIs Calientes Especializados 15000
BSC13DN30NSFD International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5346
BSC13DN30NSFDATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2641
BSC13DN30NSFDATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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