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BSC094N03S G Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 30V 35A TDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 25µA
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.4 mOhm @ 35A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1800pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 5V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 14.6A (Ta), 35A (Tc)
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Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC0901NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 116225
BSC0901NS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 10209
BSC0901NSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2785
BSC0901NSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0901NSI International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 19015
BSC0901NSI BSC0901NS infineon/ CIs Calientes Especializados 5399
BSC0901NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2595
BSC0901NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0902NS International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 5271
BSC0902NS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5255

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