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BSC080P03LS G Especificaciones técnicas

BSC080P03LS G Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 89W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 122.4nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 6140pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 16A (Ta), 30A (Tc)
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BSC080P03LS G Documentos

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Otros incluyen   "BSC08"   partes

Las siguientes partes incluyen  'BSC08' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC0802LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 100264
BSC0802LS IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5315
BSC080N03LS INFINEO CIs Calientes Especializados 2649
BSC080N03LS G INFINEO CIs Calientes Especializados 6276
BSC080N03LSG INFINEO CIs Calientes Especializados 74496
BSC080N03LSGATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2552
BSC080N03LSGATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC080N03MS Original CIs Calientes Especializados 2538
BSC080N03MS G INFINEO CIs Calientes Especializados 19225
BSC080N03MSG infineo CIs Calientes Especializados 21671

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