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BSC052N08NS5ATMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 80V 95A 8TDSON

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.8V @ 49µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 83W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.2 mOhm @ 47.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2900pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 95A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'BSC05' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC0500NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSC0500NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0501NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2589
BSC0501NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0502NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2569
BSC0502NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0503NSI Infineo CIs Calientes Especializados 4595
BSC0503NSIATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2691
BSC0503NSIATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC0504NSI INFINEON CIs Calientes Especializados 5450

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