BSC026N02KSGAUMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1.2V @ 200µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.8W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7800pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Detailed Description N-Channel 20V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.8W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±12V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.6 mOhm @ 50A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names BSC026N02KS G BSC026N02KS G-ND BSC026N02KS GTR BSC026N02KS GTR-ND BSC026N02KSG BSC026N02KSGAUMA1TR SP000379664
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52.7nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 25A (Ta), 100A (Tc)
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BSC020N025S infineon/ CIs Calientes Especializados 2518
BSC020N025S G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 19172
BSC020N025S MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1057
BSC020N025SG Infineon CIs Calientes Especializados 3742
BSC020N03LS INFINEON CIs Calientes Especializados 9070
BSC020N03LS G I CIs Calientes Especializados 566
BSC020N03LS G MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 2563
BSC020N03LS G.. I CIs Calientes Especializados 2500
BSC020N03LSG INFINEO CIs Calientes Especializados 15164
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