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BSC025N03LSGATMA1
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BSC025N03LSGATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 74nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 6100pF @ 15V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Ta), 100A (Tc) |
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Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSC020N025S | infineon/ | CIs Calientes Especializados | 2518 |
BSC020N025S G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 19172 |
BSC020N025S MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 1057 |
BSC020N025SG | Infineon | CIs Calientes Especializados | 3742 |
BSC020N03LS | INFINEON | CIs Calientes Especializados | 9070 |
BSC020N03LS G | I | CIs Calientes Especializados | 566 |
BSC020N03LS G MOS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 2563 |
BSC020N03LS G.. | I | CIs Calientes Especializados | 2500 |
BSC020N03LSG | INFINEO | CIs Calientes Especializados | 15164 |
BSC020N03LSG 020N03LS | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 415 |
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