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BSC019N04LSATMA1
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BSC019N04LSATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 40V 27A 8TDSON
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 mOhm @ 50A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2900pF @ 20V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 78W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Ta), 100A (Tc) |
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