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BSC018NE2LSIATMA1
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BSC018NE2LSIATMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.5W (Ta), 69W (Tc) |
Package / Case | 8-PowerTDFN |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 12V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Detailed Description | N-Channel 25V 29A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | PG-TDSON-8 |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.8 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | BSC018NE2LSIATMA1CT BSC018NE2LSICT BSC018NE2LSICT-ND |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 36nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Ta), 100A (Tc) |
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