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BSC014NE2LSI Especificaciones técnicas

BSC014NE2LSI Infineon Technologies

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 74W (Tc)
Package / Case 8-PowerTDFN
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 39nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2700pF @ 12V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33A (Ta), 100A (Tc)
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Las siguientes partes incluyen  'BSC01' 

Parte # Fabricante Categoría Disponibilidad
BSC010N04LS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5439
BSC010N04LS MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 529
BSC010N04LS6 International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 23941
BSC010N04LS6ATMA1 INFINE0N CIs Calientes Especializados 8533
BSC010N04LSATMA1 International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2717
BSC010N04LSATMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales
BSC010N04LSATMA1 MOS International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 1702
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