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BSB044N08NN3GXUMA1
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BSB044N08NN3GXUMA1 Especificaciones técnicas
MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Category | Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual |
Manufacturer | International Rectifier (Infineon Technologies) |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 97µA |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | OptiMOS™ |
Power Dissipation (Max) | 2.2W (Ta), 78W (Tc) |
Package / Case | 3-WDSON |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 5700pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
Detailed Description | N-Channel 80V 18A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Atributo del producto | Valor de atributo |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vgs (Max) | ±20V |
Supplier Device Package | MG-WDSON-2, CanPAK M™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.4 mOhm @ 30A, 10V |
Packaging | Cut Tape (CT) |
Other Names | BSB044N08NN3 GCT BSB044N08NN3 GCT-ND BSB044N08NN3GXUMA1CT |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 73nC @ 10V |
FET Feature | - |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Ta), 90A (Tc) |
BSB044N08NN3GXUMA1 Documentos
Descargue hojas de datos y documentación del fabricante para BSB044N08NN3GXUMA1
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Hojas de datos
BSB044N08NN3GXUMA1.pdf
Otros incluyen "BSB04" partes
Las siguientes partes incluyen 'BSB04'
Parte # | Fabricante | Categoría | Disponibilidad |
---|---|---|---|
BSB044N08NN3 G | International Rectifier (Infineon Technologies) | Transistores - FETs, MOSFETs - Individual | 2366 |
BSB044N08NN3G MOSFETIGBTIC | International Rectifier (Infineon Technologies) | CIs Calientes Especializados | 3280 |
BSB044N08NN3GXUMA1 | Infineon Technologies | Transistores MOSFET individuales |
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