BSB028N06NN3GXUMA1 Especificaciones técnicas

MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2

Atributo del producto Valor de atributo
Category Productos Semiconductores Discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Individual
Manufacturer International Rectifier (Infineon Technologies)
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 102µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series OptiMOS™
Power Dissipation (Max) 2.2W (Ta), 78W (Tc)
Package / Case 3-WDSON
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 12000pF @ 30V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 60V 22A (Ta), 90A (Tc) 2.2W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Atributo del producto Valor de atributo
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package MG-WDSON-2, CanPAK M™
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.8 mOhm @ 30A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names BSB028N06NN3 GCT BSB028N06NN3 GCT-ND BSB028N06NN3GXUMA1CT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 143nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 22A (Ta), 90A (Tc)
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BSB0203HA3-00CER Delta Electronics Ventiladores de DC 2626
BSB0205HP-00EFG Delta Electronics Ventiladores sin escobillas de CC
BSB022NE2LX G INFINEO CIs Calientes Especializados 2764
BSB024N03LX G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 2728
BSB024N03LXG INFINEO CIs Calientes Especializados 26000
BSB028N06NN3 G International Rectifier (Infineon Technologies) Transistores - FETs, MOSFETs - Individual 15200
BSB028N06NN3G International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5305
BSB028N06NN3G IC International Rectifier (Infineon Technologies) CIs Calientes Especializados 5316
BSB028N06NN3GXUMA1 Infineon Technologies Transistores MOSFET individuales

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